苏州硅能半导体科技股份有限公司
主营：场效应管,电源,充电器,硅能半导体
2N7002K,苏州硅能,2N7002K优点
面议
中国
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产品属性
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless
otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
VDS
60
V
Gate-Source Voltage
VGS
±20
V
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)
ID
0.3
A
ID (70℃)
0.26
IDM
0.8
A
Maximum Power Dissipation
PD
0.35
W
Operating Junction and Storage Temperature
Range
TJ,TSTG
-55 To 150
℃
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