苏州硅能半导体科技股份有限公司

主营:场效应管,电源,充电器,硅能半导体

SSF8205A,苏州硅能,SSF8205A供应商

面议 中国

产品属性


ELECTRICAL

CHARACTERISTICS (TA=25℃unless otherwise

noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V ID=250μA

20

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=18V,VGS=0V

1

μA

Gate-Body Leakage Current

IGSS

VGS=±10V,VDS=0V

±100

nA

ON CHARACTERISTICS

(Note 3)

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=250μA

0.5

0.65

1.2

V

Drain-Source On-State Resistance

RD(ON)S

VGS=4.5V, ID=4.5A

21

27.5

VGS=2.5V, ID=3.5A

30

37.5




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