应用领域

场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单****型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流****小，具有输入阻*高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。

场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、*辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三****管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二****管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。

中国命名法

有两种命名方法。

场效应管通常有下列两种命名方法。

*种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名，其中的第3部分用字母CS表示场效应管，第4部分用阿拉伯数字表示器件序号，第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。

第2种命名方法与双****型三****管相同，*位用数字代表电****数；第二位用字母代表****性（其中D是N沟道，C是P沟道）；第三位用字母代表类型（其中J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管）。例如，3DJ6D是N沟道结型场效应三****管，3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三****管。

日本命名法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到*个部分，其各部分的符号意义如下：

　　*部分：用数字表示器件有效电****数目或类型。0-光电（即光敏）二****管三****管及上述器件的组合管、1-二****管、2三****或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电****或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

　　第二部分：日本电子工业协会J*注册标志。S-表示已在日本电子工业协会J*注册登记的半导体分立器件。

　　第三部分：用字母表示器件使用材料****性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制****可控硅、G-N控制****可控硅、H-N基****单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

　　第四部分：用数字表示在日本电子工业协会J*登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会J*登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

　　第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

如2SK134为N沟道MOSFET，2SJ49为P沟道MOSFET。