<*n><*n>CS4230E是采用 CMOS工艺 ,电窑式升压型 GF类单 声道音频功放,可以为4Ω的负载O供4.8W的连续功 率；<*n><*n>CS4230E芯片内部固定的28倍增益，有效的减少了 外围元器件的数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式 即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有 FM的情况下,消除功放对系统的干扰；<*n><*n>CS4230E具有*的防*音(NCN)功 能,可根据输出信号的大小自动调整 功放的增益，实现更 *的昕觉感受,其4种防*音模式 的选择为不同的工程要求O供了的挑选余地 ;另 外,<*n><*n>CS4230E还具备电源自适应能力,当电源电压低的时 候,功放会自动降低增益,从而减少功放的输出功率.

<*n><*n><*n>CS4230E的外围只有低成本的阻窑器件,在以徨电池供电 的移动式音频设备中,<*n><*n>CS4230E是理想的音频子系统的功 放解决方案.<*n><*n>CS4230E的全差分架构和****高的PSRR有效地****了<*n><*n>CS4230E对RF噪声的能力 。另外 CS4230E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。

<*n><*n><*n>CS4230E供了ESOP16的封装类型,真额定的工作温度范围为-40℃至85℃。

<*n>特征

<*n>集成Charge Pump升压模块,集成AB类D类两种工作模式

<*n>GF类音频功放

<*n>****的电源自适应功能,

<*n>输出功率

<*n>Po&nb*t  10% THD+N, VBAT = 4.2V

<*n>RL = 4 Ω+33μH    4.8W(NCN OFF@D MODE)

<*n>Po&nb*t  1% THD+N, VBAT = 4.2V

<*n>RL = 4 Ω+33μH    4.0W(NCN OFF@D MODE)

<*n>输入电压范围:2.7~5.5V

<*n>关断电流: <1μA

<*n>待机电流: 3mA

<*n>D类调E频率: 300KHz

<*n>4种防*音模式可选

<*n>AERC专利M术,O供优异的全带宽EMIDE能力

<*n>优异的"嚼莫-咔暗"(pop-noise)杂音DE能力

<*n>高的电源DE比(PSRR)：在217Hz下为-80dB

<*n>过温保护

<*n>过压保护

<*n>封装<*n>ESOP16L

<*n>应用

<*n>蓝牙音箱 <*n>便携式音频设备