深圳市英尚微电子有限公司
主营：集成电路、电子元器件、存储器
MR0A08BCYS35存储芯片Parellel并口MRAM
面议
中国 广东 深圳 宝安区
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产品属性
- Density:
- 1Mb
- Org.:
- 128Kx8
- Pkg. :
- 44-TSOP2
- MOQ(pcs) / Tray:
- 1500
- MOQ(pcs)/ T&R:
- 270
- 品牌:
- 其他
- 封装形式:
- TSOP
- 类型:
- 数字集成电路
- 用途:
- 电脑
- 功能:
- 存储器
- 导电类型:
- 双极型
- 封装外形:
- 扁平型
- 集成度:
- 大规模(100~10000)
- 加工定制:
- 是
- 型号:
- MR0A08BCYS35
- 批号:
- 18+
- 工作电源电压:
- 3.3V
- 最大功率:
- 具体参照规格书
- 工作温度:
- 具体参照规格书
- 外形尺寸:
- 具体参照规格书
英尚微电子总代理NETSOL存储器sram|everspin存储器MRAM|jsc济州半导体|ISSI芯成|CYPRESS赛普拉斯ISSI存储芯片，SRAM,DRAM,各类存储器memory芯片ic,*代理，库存现货。
FEATURES
· 3.3 Volt power supply
· Fast 35 ns read/write cycle
· SRAM compatible timing
· Native non-volatility
· Unlimited read & write endurance
· Data always non-volatile for >20 years at temperature
· Commercial and industrial temperatures
· All product*eet MSL-3 moisture sensitivity level
· RoHS-Compliant TSOP2 and BGA packages
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