深圳市英尚微电子有限公司

主营:集成电路、电子元器件、存储器

Parellel并口MRAM MR2A08AYS35内存IC

面议 中国 广东 深圳 宝安区

产品属性

Density:
4Mb
Org.:
512Kx8
Pkg. :
44-TSOP2
MOQ(pcs) / Tray:
1500
MOQ(pcs)/ T&R:
270
品牌:
其他
封装形式:
TSOP
类型:
数字集成电路
用途:
音频
功能:
存储器
导电类型:
双极型
封装外形:
扁平型
集成度:
大规模(100~10000)
加工定制:
型号:
MR2A08AYS35
批号:
18+
工作电源电压:
3.3V
最大功率:
具体参照规格书
工作温度:
具体参照规格书
外形尺寸:
具体参照规格书



FEATURES

· Fast 35ns Read/Write Cycle

· SRAM Compatible Timing, Uses Existing SRAM Co*ollers Without Redesign

· Unlimited Read & Write Endurance

· Data Always Non-volatile for >20 years at Temperature

· One Memory Replaces Flash, SRAM, EEPROM and *SRAM in System forSimpler, More Efficient Design

· Replace battery-backed SRAM soluti* with MRAM to eliminate battery assembly, improving reliability

· 3.3 Volt Power Supply

· Automatic Data Protection on Power Loss

· Commercial, Industrial, Automotive Temperatures

· RoHS-Compliant SRAM TSO*ackage

· RoHS-Compliant SRAM BGA Package

· AEC-Q100 Grade 1 Qualified





内容声明:第一枪网为第三方互联网信息服务提供者,第一枪(含网站、微信、百家号等)所展示的产品/服务的标题、价格、详情等信息内容系由卖家发布,其真实性、准确性和合法性均由卖家负责,第一枪网概不负责,亦不负任何法律责任。第一枪网提醒您选择产品/服务前注意谨慎核实,如您对产品/服务的标题、价格、详情等任何信息有任何疑问的,请与卖家沟通确认;如您发现有任何违法/侵权信息,请立即向第一枪网举报并提供有效线索至b2b@dyq.cn