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MRAM(Magnetic Random Acces*emory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。
FEATURES
· 3.3 Volt power supply
· Fast 35 ns read/write cycle
· SRAM compatible timing
· Unlimited read & write endurance
· Data always non-volatile for >20-years at temperature
· RoHS-compliant *all footprint BGA and TSOP2 packages
· All product*eet MSL-3 moisture sensitivity level