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Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家*公司。2006年,Everspin推出业界****款商业化MRAM产品。今日,Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。
Density | Org. | Voltage | Part Number | Pkg. | Temp |
16Mb | 1Mx16 | 3.3V | MR4A16BYS35 | 54-TSOP | Commercial |
16Mb | 1Mx16 | 3.3v | MR4A16BYS35R | 54-TSOP2 | Commercial |
16Mb | 1Mx16 | 3.3V | MR4A16BMA35 | 48-BGA | Commercial |
16Mb | 1Mx16 | 3.3v | MR4A16BMA35R | 48-BGA | Commercial |
16Mb | 1Mx16 | 3.3V | MR4A16BCYS35 | 54-TSOP | Industrial |
16Mb | 1Mx16 | 3.3v | MR4A16BCYS35R | 54-TSOP2 | Industrial |
16Mb | 1Mx16 | 3.3V | MR4A16BCMA35 | 48-BGA | Industrial |
16Mb | 1Mx16 | 3.3v | MR4A16BCMA35R | 48-BGA | Industrial |
16Mb | 1Mx16 | 3.3v | MR4A16BUYS45 | 54-TSOP2 | Automotive |
16Mb | 1Mx16 | 3.3v | MR4A16BUYS45R | 54-TSOP2 | Automotive |
FEATURES
· 3.3 Volt power supply
· Fast 35 ns read/write cycle
· SRAM compatible timing
· Unlimited read & write endurance
· Data always non-volatile for >20 years at temperature
· RoHS-compliant *all footprint BGA and TSOP2 package
· All product*eet MSL-3 moisture sensitivity level