Everspin在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是翘楚。拥有超过600多项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场有一定的地位。英尚微电子作为everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的数据存储.没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。
 
产品描述
MR20H40CDF是Everspin 所生产的由4194,304位磁阻随机存取存储器（MRAM）设备系列，组织为524,288个8位字。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是理想的内存解决方案。它们具有串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写延迟，并且读/写寿命不受限制。与其他串行存储器不同，使用MR2xH40系列，读取和写入都可以在内存中随机发生，而写入之间没有延迟。
 
MR20H40CDF系列可在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。MR20H40CDF MRAM存储芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工业温度范围。MR20H40CDF（40MHz）具有工业（-40°至+85°C），扩展（-40至105°C）和AEC-Q1001级（-40°C至+125°C）工作温度范围选项。两者均采用5x6mm，8引脚DFN封装。该引脚与串行SRAM，EEPROM，闪存和FeRAM产品兼容。

产品图片
 

 

产品特征
没有写入延迟
•无限的写续航力
•数据保留超过20年
•断电时自动数据保护
•快速，简单的SPI接口，MR20H40的时钟速率高达50 MHz。
•3.0至3.6伏电源范围
•低电流睡眠模式
•工业（-40至85°C），扩展（-40至105°C）和AEC-Q100 1级（-40至125°C）温度范围选项。
•提供符合RoHS要求的8引脚DFN或8引脚DFN小标志。
•直接替换串行EEPROM，闪存和FeRAM
•MSL 3级

DFN封装引脚图（顶视图）