基于SiO2/Si晶片的双层CVD石墨烯薄膜

　　将两层单层CVD石墨烯膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上

　　尺寸：1cmx1cm; 8片

　　将每个石墨烯膜连续转移到晶片上

　　我们的石墨烯薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制

　　该产品的石墨烯覆盖率约为98％

　　石墨烯薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物

　　每个石墨烯薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）

　　由于没有A-B堆叠顺序。石墨烯薄膜彼此随机取向。

　　薄层电阻：215-700Ω/平方

　　硅/二氧化硅晶圆的特性：

　　氧化层厚度：285nm

　　颜色：紫罗兰色

　　晶圆厚度：525微米

　　电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米

　　型号/掺杂剂：P /硼

　　方向：lt;100gt;

　　前表面：抛光

　　背面：蚀刻

　　应用：

　　石墨烯电子和晶体管

　　导电涂料

　　航空航天工业应用

　　支持金属催化剂

　　微执行器

　　MEMS和NEMS

　　化学和生物传感器

　　基于石墨烯的多功能材料

　　石墨烯研究