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调制掺杂异质结中的二维电子气具有许多重要的性质。由于 势阱中的二维电子气是处在 本征半导体一边,而该处不存在电离杂质中心的散射作用,因此,这些二维电子气沿着平面方向运动的迁移率将非常高(特别是在较低温度下、 晶格振动减弱时),故又称这些电子为 高迁移率二维电子气。性能优良的超高频、超高速场效应晶体管—— HEMT(又称为 MODFET),就是利用 调制掺杂异质结 势阱(沟道)中的高迁移率二维电子气来工作的。


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2-DEG一般容易在异质结构中获得。对于 半导体突变异质结,由于导带底 能量突变量ΔEc的存在,则在界面附近出现有“尖峰”和“凹口”;实际上,对异质结中导带电子的作用而言,该“尖峰”也就是电子的势垒,“凹口”也就是电子的 势阱。



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