光刻胶趋势
半导体光刻胶领域市场规模趋于稳定, 2017年市场约13.5亿美元;约20.2亿元,近5年复合增速达12%。受半导体市场复苏和国内承接产业转移,预计光刻胶市场将保持稳定增速,国内市占率稳步抬升。
光刻胶生产、检测、评价的设备价格昂贵,需要一定前期资本投入;光刻胶企业通常运营成本较高,下游厂商认证采购时间较长,为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势,需要足够的中后期资金支持。企业持续发展也需投入较大的资金,光刻胶行业在资金上存在较高的壁垒,国外光刻胶厂商相对于国内厂商,NR74g 6000PY光刻胶,其公司规模更大,具有资金和技术优势。
总体上,光刻胶行业得到国家层面上的政策支持。《国家集成电路产业发展推进纲要》,提出“研发光刻机、刻蚀机、离子注入机等关键设备,开发光刻胶、大尺英寸硅片等关键材料”;国家*支持的高新技术领域(2015)中提到“高分辨率光刻胶及配套*作为精细*重要组成部分,NR74g 6000PY光刻胶厂家,是*发展的新材料技术”;光刻技术(包括光刻胶)是《中国制造 2025》*领域。
四、前烘(Soft Bake)
完成光刻胶的涂抹之后,需要进行软烘干操作,这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。
在液态的光刻胶中,溶剂成分占65%-85%。虽然在甩胶之后,液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培,可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右),从而降低了灰尘的沾污。同时,这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力,从而提高光刻胶 衬底上的附着性。
在前烘过程中,NR74g 6000PY光刻胶公司,由于溶剂挥发,光刻胶厚度也会减薄,一般减薄的幅度为10%-20%左右。
4,*
前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上,经与光刻版对准后,进行*,接受光照的光刻胶发生化学变化,形成潜影,
光源与光刻胶相匹配,也就是光源波长在光刻胶的敏感波段;
对准:指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准,这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。
*时间,由光源强度,光刻胶种类,厚度等决定,
另外,为降低驻波效应影响,可在*后需进行烘焙,称为光后烘焙(PEB)