如何选择光刻胶
光刻胶必须满足几个硬性指标要求:高灵敏度,高对比度,好的蚀刻阻*性,高分辨力,易于处理,高纯度,长寿命周期,低溶解度,低成本和比较高的玻璃化转换温度(Tg)。主要的两个性能是灵敏度和分辨力。大多数光刻胶是无定向的聚合体。当温度高于玻璃化转换温度,聚合体中相当多的链条片以分子运动形式出现,因此呈粘性流动。当温度低于玻璃化转换温度,链条片段的分子运动停止,聚合体表现为玻璃而不是橡胶。当Tg低于室温,NR26 25000P光刻胶报价,胶视为橡胶。当Tg高于室温,胶被视为玻璃。由于温度高于Tg时,聚合体流动容易,于是加热胶至它的玻璃转化温度一段时间进行退火处理,可达到更稳定的能量状态。在橡胶状态,溶剂可以容易从聚合体中去除,如软烘培胶工艺。但此时胶的工作环境需要格外关注,当软化胶温度大于Tg时,它容易除去溶剂,但也容易混入各种杂质。一般来说,结晶的聚合体不会用来作为胶,因为结晶片的构成阻止均一的各向同性的薄膜的形成。
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光刻胶应用
光刻胶是一种具有光化学敏*的功能性化学材料,是由光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体(活性稀释剂)、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体,NR26 25000P光刻胶公司,其中,树脂约占50%,单体约占35%。它能通过光化学反应改变自身在显影液中的溶解性,通过将光刻胶均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上,利用它的光化学敏*,通过*、显影、刻蚀等工艺过程,将设计在掩膜版上的图形转移到衬底上。
光刻胶常被称为是精细化工行业技术壁垒的材料,是因为微米级乃至纳米级的图形加工对其*的要求*高,不仅化学结构特殊,品质要求也很苛刻,所以生产工艺复杂,NR26 25000P光刻胶,需要长期的技术积累。
被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,是电子制造领域的关键材料之一。下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。
含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此,研发了含Si的光刻胶,这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作Underlayer),NR26 25000P光刻胶厂家,其对光是不敏感的。*显影后,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到Underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer,具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的,例如硅氧烷,含Si的树脂等