IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下:
?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率,提升检测水平,增加经济效益;
?半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析,变频器用IGBT测试仪,以确保出厂产品的合格率;
?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,变频器用IGBT测试仪批发,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;
?航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;
安全工作区测试负载电感
?电感量1mH 、10mH、50mH、100mH
?电流通过选择不同档位电感,变频器用IGBT测试仪加工,满足0~200A电流输出需求(10ms)
?瞬态电压大于10kV
?负载电感配备自动切换开关,可分别接通不同电感值,由计算机控制自动接通;自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。
5)补充充电回路限流电感
限制充电回路中的di/dt。
?电感量 100μH
?电流能力 6000A (5ms)
?瞬时耐压 10kV
?工作温度室温~40℃
?工作湿度<70%
目的和用途该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二*管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。1有完备的安全控制单元,动态测试设备有传感器来保证操作者安全,设备任何门被打开均能快速切断高压电源。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二*管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数:1、开通时间ton:5~2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on):5~2000ns±3%±3ns3、上升时间tr:5~2000ns±3%±3ns4、开通能量: 0.2~1mJ±5%±0.01mJ1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ100~500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围:200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon:10W~250kW