贴片铝电解电容5x5.4-贴片铝电解电容-东莞市容强电子科技

铝电解电容器新型电解液的配方原则是：①用两种溶剂混合．以达到互补。②用两种弱酸，以提供所需的两种阴离子团。③加碱，如有机胺，以调整电解液的pH值和闪火电压．改变其电阻率。④改进电解液特性的添加物，如防止铝氧化膜发生水合作用的*或其盐，吸收氢的等，提高电解液闪火电压的乙烯氧化物。 2.在工艺上，除了已经实现生产机械化和自动化以外，铝电解电容器在工艺上的进展主要是腐蚀相赋能两个工艺。铝箔的腐蚀系数不但已经很高(低压电容器箔已达100，高压者达25)，而且可以根据对电容器的性能要求，腐蚀出不同坑洞形貌的铝箔。腐蚀工艺是一种腐蚀液种类、浓度、温度、原箔成分、结构、表面状态、腐蚀过程中箔速度以及电源类型、波形、频率、电压等的动态平衡工艺。

贴片铝电解电容型号 贴片电解电容常用的规格有 4*5.4 5*5.4 6.3*7.7 8*10.2 8*.5 10*10.2 容量及电压表：

0.47uf:(50V 63V)

1uf:(50V 63V 100V)

2.2uf:(50V 63V 100V)

3.3uf:(35V 50V 63V 100V)

4.7uf:(25V 35V 50V 63V 100V)

10uf:(16V 25V 35V 50V 63V 100V)

22uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)

33uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)

47uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V 100V)

100uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V 63V)

150uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)

220uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V 50V)

330uf:(6.3V 10V 16V 25V 35V)

70uf:(6.3V 10V 16V 25V)

680uf:(6.3V 10V 16V)

1000uf:(6.3V 10V 16V)

1500uf:(6.3V)

尺寸及封装

4*5.4mm 一盘2000个

5*5.4mm 一盘1000个

6.3*5.4mm 一盘1000个

6.3*7.7mm 一盘1000个

8*6.5mm 一盘1000个

8*10.2mm 一盘 500个

10*10.2mm 一盘 500个

容量uf：0.1uf-2200uf

电压V ：2.5v-16v

误差：M- 20%

外形：圆柱形

应用：PCB板表面贴装

产品温度：105度、（120Hz/20℃）

贴片电解电容

常用电容的结构和特点：常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等。

金属化纸介电容，结构和纸介电容基本相同。它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔，贴片铝电解电容6.3x5.4，体积小，贴片铝电解电容，容量较大，一般用在低频电路中。

油浸纸介电容，它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强它的耐压。它的特点是电容量大、耐压高，但是体积较大。

玻璃釉电容 ，以玻璃釉作介质，具有瓷介电容器的优点，且体积更小，耐高温。

陶瓷电容用陶瓷做介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜做*板制成。它的特点是体积小，耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适宜用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大，但是损耗和温度系数较大，适宜用于低频电路。

薄膜电容，结构和纸介电容相同，介质是涤纶或者聚本乙烯。涤纶薄膜电容，贴片铝电解电容5x5.4，介电常数较高，体积小，容量大，稳定性较好，适宜做旁路电容。聚本乙烯薄膜电容，介质损耗小，绝缘电阻高，但是温度系数大，可用于高频电路。

云母电容，用金属箔或者在云母片上喷涂银层做电*板，*板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。它的特点是介质损耗小，绝缘电阻大、温度系数小，适宜用于高频电路。

钽、铌电解电容，它用金属钽或者铌做正*，用稀*等配液做负*，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。它的特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好。用在要求较高的设备中。

半可变电容，也叫做微调电容。它是由两片或者两组小型金属弹片，中间夹着介质制成。调节的时候改变两片之间的距离或者面积。它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。

可变电容，它由一组定片和一组动片组成，它的容量随着动片的转动可以连续改变。把两组可变电容装在一起同轴转动，叫做双连。可变电容的介质有空气和聚本乙烯两种。空气介质可变电容体积大，损耗小，多用在电子管收音机中。聚本乙烯介质可变电容做成密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中。