LED芯片结构设计主要是考虑如何提高外量i子效率,即芯片的光萃取效率,提高芯片散热性能以及在降低成本上进行采用新结构新工艺。芯片有很多种新结构,例如六面体发光芯片、DA芯片结构等。
据机构测算,到2017年年底,深圳led芯片,LED芯片有效产能约8328万片,需求约9235万片。业内人士认为,LED芯片产能仍低于需求。考虑到2017年需求稳定增长,LED芯片将处于供不应求的状态。而随着LED芯片供不应求,相应地LED外延片也将“水涨船高”。
由于经济的全球化,LED产业的发展也在逐步形成国际分工,国际LED产业链企业数量分布梯度明显,产业链上游的外延生长技术是半导体照明产业技术含量蕞高、对蕞终产品品质、成本控制影响蕞大的环节。
LED产业的核心技术之一是外延生长技术,其核心是在MOCVD设备(俗称外延炉)中生长出一层厚度仅有几微米的化合物半导体外延层。MOCVD设备是LED产业生产过程中蕞重要的设备,其价值占整个产业链(外延片—芯片—封装和应用)的70%。
所谓透明电*一是要能够导电,二是要能够透光。
这种材料现在较为广泛应用在液晶生产工艺中,led芯片报价,其名称叫氧化铟锡,英文缩写ITO,led芯片厂家,但它不能作为焊垫使用。
制作时先要在芯片表面做好欧姆电*,然后在表面覆盖一层ITO再在ITO表面镀一层焊垫。
这样从引线上下来的电流通过ITO层均匀分布到各个欧姆接触电*上,同时ITO由于折射率处于空气与外延材料折射率之间,可提高出光角度,光通量也可增加。
LED芯片材料磊晶种类
1.LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5.DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs
6.DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs