3)IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源:10~1500V连续可调?关断时间测试参数:1、关断时间toff:5~2000ns±3%±3ns2、关断延迟时间td(off):5~2000ns±3%±3ns3、下降时间tf:5~2000ns±3%±3ns4、关断能量:0。支撑电容:额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求:0.1~10V±3%±0.01V?栅*电压输出要求:5~25V±1%±0.01V ?集电*电流测试设备精度: 200~500A±3%±1A;500~1000A±2%±2A?测试脉冲宽度:0.1~1ms可设定4)栅*漏电流测试电路 栅*漏电流测试电路?可调电源:±1V~±40V±2%±0.1V;?小电流测量设备精度:0.01~10μA±2%±0.005μA?栅*电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;?脉冲时间:40~100ms可设定
如何执行导通参数与漏电流的量测?
?测试条件中待输入的数字,必须依照元件生产厂所提供的规格来输入,封装用IGBT测试仪价格,而测量结果,亦必须在其所规定的限额内,否则,便为不良品。
大功率I g b t模块测试系统简介
我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力:
☆可单机*操作,测试范围达2000V及50A。
☆外接大电流扩展装置,检测范围可扩展1600A。