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光刻（英语：photolithography）是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用*和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，制版价格，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

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接触光刻技术中使用的掩模的表面特征图案的尺寸与实际掩模的尺寸相同。i在衬底上形成的图案是1∶1，并且以直接接近光致*蚀剂层表面的方式*i光线；另一方面，缩微技术中使用的掩模具有表面特征图案的实际尺寸。i在衬底上形成的图案的几次通过光学系统投影模式*i光明。

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光刻板本体的外部边缘增设一保护环，保护环具有多种开孔，以便在保护环处的硅片的边缘处刻出晶粒，将光刻板本体处的硅片保护起来，硅片边缘刻出晶粒后，边缘的不合格情况通过目测可以清楚看出，能有效防止混料情况；利用本实用新型刻出的硅片，在高压测试时，能防止漏电打火，安全性能具有较大提高