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摘要 : 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,大功率对管,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流。(这就是二*管的击穿现象
当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流。(这就是二*管的击穿现象) 二*管伏安特性曲线
加在PN结两端的电压和流过二*管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示:
正向特性:ugt;0的部分称为正向特性。反向特性:ult;0的部分称为反向特性。反向击穿:当反向电压超过一定数值U(BR)后,反向电流急剧增加,称之反向击穿。
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摘要 : 常见的二*管参数都有哪些呢?强元芯来告诉您!
常见的二*管参数都有哪些呢?
1.正向压降,此二*管参数决定了电路当中的功耗,压降越低,效率越高,
2.反向恢复时间,这项二*管参数决定了二*管在高频场所使用时是否合适,它可以帮助我们选择合适的二*管
3.浪涌电流,这项二*管参数是针对于电路当中有高频脉冲及开关开断的瞬间,会有一个较大的电流,它参数越高,说明它的*冲击力越好
4.后一点是结温,这项二*管参数,决定了二*管工作时的稳定性,大家都知道,二*管工作时,会有较大的温升,所以二*管的PN结结温也就成了影响二*管在温升较高时工作的稳定性
选择二*管时需注意以下参数:
1.应小于二*管的正向额定电流IF.
2.应用电路的峰值工作电压应小于二*管的反向击穿电压Vrrm.
3.应用电路内的二*管的实际工作温升应小于肖特基二*管的结温Tjmax.
4.对于比较苛刻的环境,为了保证可靠性,二*管应降额使用。
5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加*和吸收电路。
6.二*管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。
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摘要 : 导读:ASEMI半导体*半导体新7制程,为制造呐喊助威。2015开年以来,不管是经济还是,亦或是是文化,都在不断强调着制造这一口号,一个要想成功发展,除了
导读:ASEMI半导体*半导体新7制程,MURF1640CT大功率对管,为制造呐喊助威。2015开年以来,不管是经济还是,亦或是是文化,MUR3040CTR大功率对管,都在不断强调着制造这一口号,一个要想成功发展,除了、经济和文化,科技是另一块重要的模块。而在现如今这个电子的里,半导体行业的,无疑占着重要的版块…
现阶段,MUR3060PT大功率对管,ASEMI半导体和其他的*芯片制造商,都处于同一个阶段,做着向10制程过渡的准备。同时,7的工艺制程也也在我们的考虑范围和研发计划当中。以下我们就讲讲几个思路。
如果说我们从材料方面来看的话,在晶体管方面,由于10制造工艺与14相似,但是依然有可能需要改变沟道的材料。而如果开始研究7制造工艺的时候,我们需要考虑到像水平阵列中采用环栅(GAA)线这样的问题,需要考虑到多的转折点。