大功率对管-ASEMI-MURF1640CT大功率对管

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摘要 : 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，大功率对管，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流。(这就是二*管的击穿现象

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流。(这就是二*管的击穿现象) 二*管伏安特性曲线

加在PN结两端的电压和流过二*管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：

正向特性：ugt;0的部分称为正向特性。反向特性：ult;0的部分称为反向特性。反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

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摘要 : 常见的二*管参数都有哪些呢？强元芯来告诉您！

常见的二*管参数都有哪些呢？

1.正向压降，此二*管参数决定了电路当中的功耗，压降越低，效率越高，

2.反向恢复时间，这项二*管参数决定了二*管在高频场所使用时是否合适，它可以帮助我们选择合适的二*管

3.浪涌电流，这项二*管参数是针对于电路当中有高频脉冲及开关开断的瞬间，会有一个较大的电流，它参数越高，说明它的*冲击力越好

4.后一点是结温，这项二*管参数，决定了二*管工作时的稳定性，大家都知道，二*管工作时，会有较大的温升，所以二*管的PN结结温也就成了影响二*管在温升较高时工作的稳定性

选择二*管时需注意以下参数：

1.应小于二*管的正向额定电流IF.

2.应用电路的峰值工作电压应小于二*管的反向击穿电压Vrrm.

3.应用电路内的二*管的实际工作温升应小于肖特基二*管的结温Tjmax.

4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，二*管应降额使用。

5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加*和吸收电路。

6.二*管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。

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摘要 : 导读：ASEMI半导体*半导体新7制程，为制造呐喊助威。2015开年以来，不管是经济还是，亦或是是文化，都在不断强调着制造这一口号，一个要想成功发展，除了

导读：ASEMI半导体*半导体新7制程，MURF1640CT大功率对管，为制造呐喊助威。2015开年以来，不管是经济还是，亦或是是文化，MUR3040CTR大功率对管，都在不断强调着制造这一口号，一个要想成功发展，除了、经济和文化，科技是另一块重要的模块。而在现如今这个电子的里，半导体行业的，无疑占着重要的版块…

现阶段，MUR3060PT大功率对管，ASEMI半导体和其他的*芯片制造商，都处于同一个阶段，做着向10制程过渡的准备。同时，7的工艺制程也也在我们的考虑范围和研发计划当中。以下我们就讲讲几个思路。

如果说我们从材料方面来看的话，在晶体管方面，由于10制造工艺与14相似，但是依然有可能需要改变沟道的材料。而如果开始研究7制造工艺的时候，我们需要考虑到像水平阵列中采用环栅(GAA)线这样的问题，需要考虑到多的转折点。