华科分立器件测试仪-封装用IGBT测试仪加工

静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统HUSTEC-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，封装用IGBT测试仪现货供应，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，封装用IGBT测试仪厂家，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。

目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二*管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，封装用IGBT测试仪加工，实现模块的动态参数测试。400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二*管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW

IGBT测试装置技术要求（1）设备功能IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的*标准，系统为*式单元，封闭式结构，浙江封装用IGBT测试仪，具有升级扩展潜能。1有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能快速切断高压电源。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二*管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二*管压降的检测问题。