回收硅片性价比出众

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影响因素

1 ．频率

射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。

2 ．射频功率

增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。

3 ．衬底温度

PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和*裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。

4 ．气体流量

影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。

5 ．反应气体浓度

SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及*性质均有重大影响。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。

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电池片丝网印刷技术

印刷厚度：丝网和感光膜的厚度决定印刷后图形的厚度即线条的厚度，如图 10 所示，在一般情况下，丝网目数越低，丝经越粗，印刷后的浆料层就越高，所用丝网目数较高时，印刷后浆料层就低一些。感光膜的厚度与丝网目数和线条的宽度有关：目数越高，丝径越细，感光膜与丝网的接触面积越小，二者的附着力减小，

果印刷线条变窄，增加感光膜的厚度易造成脱落，所以感光膜较薄，感光膜的厚度约为丝网厚度的 15 ％～ 25 ％；对于背铝和背银工序，选取250 目丝网，其厚度为 58um，感光膜厚度为 10 ～ 15um ，则印后厚度为 68 ～ 73μm ，这里计算出来的厚度时浆料的湿厚度（ wetthickness ）．需经过烘干（ dry ）和烧结（ fire ）才是终厚度（干厚度），干厚度是湿厚度的 30% ～ 40% ；对于正银工序，选取 330 目丝网，其厚度为 44um ，感光膜厚度为 5 ～ 10μm ，则印后湿厚度约为 49 ～ 54μm 。

选择丝网丝径及目数时，要求网格的孔长为浆料粉体粒径的 2.5 ～ 5 倍；目数越低丝网越稀疏，网孔越大，油墨通过性就越好；网孔越小，油墨通过性越差，如图 9 所示。

网框 ：网框大多采用硬铝及铝合金以承受绷网所产生的力，连接丝网的底面需要较高的平面度，约为 0.04mm × 150mm × 150mm ; 网框规格一般为承印物的 2 倍：以 150mm 电池片为例，承印物面积为

150mm × 150mm ，网框内口的面积应为300mm × 300mm 。

振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，El，欠佳检测，2手，旧，工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，*限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债还款，返修，太阳能发电控制模块收购等。

九、崩边、豁口、掉角

充电电池边沿崩边喝豁口

A级：其长短≤3mm，深度1≤0.5mm，总数≤2处

B级：其长短≤5mm，深度1≤1.0mm，总数≤3处

四边豁口

A级：规格≤1.5*1.5mm，总数≤1处

B级：规格≤2.0*2.0mm，总数≤1处

注：多晶硅A级和B级均不容许有三边形豁口和锐利行豁口，左右豁口都不能过电级(主栅线，副栅线)

超出B级范畴

多晶硅电池片超出了B级范畴，就立即做为缺点片。

多晶电池片超出了B级范畴，如合乎C级需切角片的规定，能作C级需切角片多

经容许边缘有豁口（包含三边形豁口和锐利行豁口），对边缘豁口听规定给出

125任意边缘*损≤18*18mm

150任意边缘*损≤8*8mm

156任意边缘*损≤14*14mm注：多晶电池片超过了C级片的规定，做为缺点片。*粉碎，无运用使用价值的做为报费片新的规范与旧的同样。