肇庆太阳能光伏板价值*

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2. 短路电流

在一定的温度和辐照条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，通常用 I sc 来表示。

将 PN 结短路（ V=0 ），因而 IF=0 ，这时所得的电流为短路电流 Isc ，显然有： I sc = I L ， I sc 与太阳电池的面积大小有关，面积越大， I sc 越大。 I sc 与入射光的辐照度成正比。

3. 功率点

在太阳电池的伏安特性曲线上对应大功率的点，又称佳工作点。

4. 工作电压

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电压。通常用 V m 表示

5. 工作电流

太阳电池伏安特性曲线上大功率点所对应的电流。通常用 I m 表示

6. 转换效率

受光照太阳电池的大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η = V m I m / A t

P in 其中 V m 和 I m 分别为大输出功率点的电压和电流， A t 为太阳电池的总面积， P in 为单位面积太阳入射光的功率。

7. 填充因子

太阳电池的大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用 FF 表示： FF = I m V m / I sc V oc

I sc V oc 是太阳电池的*限输出功率， I m V m 是太阳电池的大输出功率，填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。

8. 电流温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池短路电流的变化值，通常用 α 表示。对于一般晶体硅电池 α = 0.1%/ 0 C 。

9. 电压温度系数

在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化 1 0 C ，太阳电池开路电压的变化值，通常用 β 表示。对于一般晶体硅电池 β = - 0.38%/ 0 C 。

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5.1.5 尺寸

电池尺寸的检验采用分辨力优于0.02mm 的卡尺测量，电池的厚度采用分辨力优于 0.01mm 的千分尺测量。

电池的角度偏差采用分辨力优于0. 1° 的量角器测量。

电池的厚度偏差和总厚度偏差检验参照 GB/T6618 进行

5.1.6 外观

在照度不小于 800Lux的白色光源下对电池的表面颜色进行目测。

电池的崩边、钝性缺口等外观缺损的尺寸检测，采用分辨力优于 0.02mm 的量具测量。 5.2 力学性能

5.2.1 弯曲变形

使用表面平整度优于0.01mm 平台，电池背面朝下水平放置，用分辨力优于 0.01mm 的量具进行检验。

5.2.2 电*附着强度或电* / 焊点*拉强度

电*的附着强度和电* / 焊点的*拉强度试验采用同一方法，。将一根长 150mm ，宽 1.7mm 的焊锡条引线焊接在电池电*上，焊接长度为 10mm ，焊接质量以不虚焊为准，在与焊接面成 45 °对引线施加拉力，逐渐加大拉力，在拉力不低于 2.49N 的情况下持续 10s 以上。

5.3 电性能

5.3.1 电性能参数的温度系数测量电池的温度系数测量按SJ/T 10459 进行。

5.3.2 电性能参数测量

电池的电性能参数测量按GB/T6495.1 和 GB/T6495.3进行。

5.3 热循环试验

将测试电池样品间隔的放置在环境试验箱（相对湿度小于 60% ）中，按图 4 的温度分布，使电池的温度在 -40 ℃± 2 ℃ 和 85 ℃± 2 ℃ 之间循环。在两个*端温度的保持时间不少于 10min ，循环次数 5 次。再按本标准的规定对电池的外观、力学性能和电池转换效率进行检测。

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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴*上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的*能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低 CVD 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 CVD 过程得以在低温下实现。

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化（ lt; 450 ℃ ）。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

PE 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式（岛津）和间接式（ Roth ＆ Rau ）。

直接式：基片位于一个电*上，直接接触等离子体。

间接式：基片不接触激发电*。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 NH3 ，而 SiH4 直接进入反应腔。间接 PECVD 的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。