关断时间测试参数:1、关断时间toff:5~2000ns±3%±3ns2、关断延迟时间td(off):5~2000ns±3%±3ns3、下降时间tf:5~2000ns±3%±3ns4、关断能量:0.2~1mJ±5%±0.01mJ1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ5、关断耗散功率Pon:10W~250kW关断时间测试条件:1、集电*电压Vce:50~100V±3%±1V100~500V±3%±5V500V~1000V±3%±10V2、集电*电流Ic:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A;500~1000A±3%±5A;
目的和用途该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二*管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二*管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数:1、开通时间ton:5~2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on):5~2000ns±3%±3ns3、上升时间tr:5~2000ns±3%±3ns4、开通能量: 0.2~1mJ±5%±0.01mJ1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ100~500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围:200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon:10W~250kW
(2)主要技术参数1)基本参数功率源:5000V 1200A2)栅*-发射*漏电流IGESIGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA集电*电压VCE:0V栅*电压Vge: 0-40V±3%±0.1V3)集电*-发射*电压集电*电压VCES: 100-5000V±2%±10V集电*电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA栅*电压Vge: 0V4)集电*-发射*饱和电压VCESatVCESat:0.2-5V栅*电压Vge: ±15V±2%±0.2V集电*电流ICE: 10-1200A±2%±1A5)集电*-发射*截止电流ICES集电*电压VCE: 100-5000V±3%集电*电流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA栅*电压VGE: 0V6)栅*-发射*阈值电压VGEth: 1-10V±2%±0.1VVce:12V集电*电流ICE: 30mA±3%7)二*管压降测试VF:0-5V±2%±0.01VIF:0-1200A±2%±1AVge: 0V
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