广西封装用IGBT测试仪-华科智源(推荐商家)

关断时间测试参数：1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns4、关断能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ5、关断耗散功率Pon：10W～250kW关断时间测试条件：1、集电*电压Vce：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V2、集电*电流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;

目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二*管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。1.2 测试对象IGBT、FRD、肖特基二*管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW

（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V 1200A2）栅*-发射*漏电流IGESIGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA集电*电压VCE：0V栅*电压Vge： 0-40V±3%±0.1V3）集电*-发射*电压集电*电压VCES： 100-5000V±2%±10V集电*电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅*电压Vge： 0V4）集电*-发射*饱和电压VCESatVCESat：0.2-5V栅*电压Vge： ±15V±2%±0.2V集电*电流ICE： 10-1200A±2%±1A5）集电*-发射*截止电流ICES集电*电压VCE： 100-5000V±3%集电*电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA栅*电压VGE： 0V6）栅*-发射*阈值电压VGEth： 1-10V±2%±0.1VVce：12V集电*电流ICE： 30mA±3%7）二*管压降测试VF：0-5V±2%±0.01VIF：0-1200A±2%±1AVge： 0V