新能源汽车专用IGBT测试仪加工-华科智源

7*要求?卖方应通过ISO 9001质量论证。?卖方所提供的元件，新能源汽车专用IGBT测试仪加工，必须是经过检验合格的器件，否则，台湾IGBT测试仪加工，买方有权拒付货款。?买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。?在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责*更换并予以赔偿。?卖方由于自身原因而延迟交货时，买方有权按商务规定方法向卖方收取罚款。?卖方对技术规范保证数据的有效性及交货保质期等应由双方协商确定并签署在合同中。

3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅*电压输出要求：5～25V±1%±0.01V ?集电*电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅*漏电流测试电路 栅*漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅*电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?脉冲时间：40~100ms可设定

主要参数测试范围精度要求测试条件

Vce

集射*电压150～3300V150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V；150～3300V

Ic

集射*电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A

Vge

栅*电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V-30V～30V

Qg

栅*电荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC

td(on)、td(off)

开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；