ENX2020功率器件雪崩耐量测试系统是本公司研发设计的测试Si DIODE、Si MOSFET、Si IGBT和SiC DIODE、SiC MOSFET、SiC IGBT雪崩耐量的测试设备,系统满足美军标MIL-STD-750F·3470,能够准确快速的测试出IGBT、MOS、二管的雪崩耐量。该设备包括:可控直流电源、可选电感、霍尔电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、功率型器件、功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试适配器(可定制)、外接测试端口等多个部分。
ENX2020 雪崩耐量测试系统
功能指标:
测试参数 |
功能指标 |
雪崩电压Va |
10- 2500 V,分辨率1V |
漏电压 |
10-150 V,分辨率1V |
栅电压 |
2-20V,分辨率1V |
漏电流Ia |
1A-100A,分辨率0.1A |
漏电测试 |
电压= 2V-150V,I = 1.0 mA;Imax = 8.0 mA |
雪崩能量 Eas/Ear |
1mJ -100J ,分辨率1mJ |
感负载 |
0.01 mH-159.9 mH 程控式电感,分辨率10uH |
参数输入 |
GPIB输入 |
波形和分析 |
雪崩电流 Ia、雪崩电压 Va 和雪崩能量 Eas波形可在示波器和工控机显示器上同时观察 |
输出 |
两路输出,用于测试 N,P 或者组合的 MOSFET,IGBT。 |
外部接口 |
PTNET:网络连接和控制的 PTNET, 提供多 50 个虚拟 BIN; Handler 接口:15-bin 控制的机械手接口; |