噪声低_阻*高-10N60噪声低阻*高-ASEMI
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MOS管一般又叫场效应bai管，与二*管和三du*管不同，二*zhi管只能通过正向电流，反向截止，不dao能控制，三*管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的，10N60噪声低_阻*高，MOS管的输入电阻*大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三*管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。
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同步整流管和整流二*管
同步整流管SR及整流二*管构成的半波整流电路如图1（b）所示。当SR的门*驱动电压ug，与正弦波电源电压仍同步变化时，则负载R上得到的是与二*管整流电路相同的半波正弦波电压波形1fR。
同步整流管的源一漏*之间有寄生的体二*管，还有输出结电容（未画出），8N65噪声低_阻*高，驱动信号加在门*和源*（G-S）之间，是一种可控的开关器件。皿关断时，电流仍然可以由体二*管流通。不过m体二*管的正向导通压降和反向恢复时间都比SBD大得多，因此，一旦电流流过SR的体二*管，则整流损耗将明显增加。
由于同步整流是由可控的三端半导体开关器件来实现的，因此必须要有符合一定时序关系的门*驱动信号去控制它，使其像一个二*管一样地导通和关断。驱动方法对银的整体性能影响很大，因此，门*驱动信号往往是设计同步整流电路时必须要解决的首要问题。例如，SR开通过早或关断过晚，都可能造成短路，而开通过晚或关断过早又可能使SR的体二*管导通，使整流损耗和器件应力*。
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8、输入阻*高，驱动功率小：由于栅源之间是二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻*基本上就是输入电容的容*。由于输入阻*高，对激励信号不会产生压降，有电压就可以驱动，所以驱动功率（灵敏度高）。一般的晶体三*管必需有基*电压Vb，再产生基*电流Ib，才能驱动集电*电流的产生。晶体三*管的驱动是需要功率的（Vb×Ib）。
9、开关速度快:MOSFET的开关速度和输入的容性特性的有很大关系，噪声低_阻*高，由于输入容性特性的存在，使开关的速度变慢，但是在作为开关运用时，可降低驱动电路内阻，加快开关速度（输入采用了后述的“灌流电路”驱动，4N65噪声低_阻*高，加快了容性的充放电的时间）。MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10—100ns之间，工作频率可达100kHz以上，普通的晶体三*管由于少数载流子的存储效应，使开关总有滞后现象，影响开关速度的提高（目前采用MOS管的开关电源其工作频率可以轻易的做到100K/S～150K/S，这对于普通的大功率晶体三*管来说是难以想象的）。
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