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离子束刻蚀机

离子束刻蚀是利用离子束直接轰击工件，将工件上的材料溅射出来，实现材料去除的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，聚焦离子束刻蚀机厂家，在各种常规刻蚀方法中具有分辨率较高、陡直性较好的特点。应用于在基板表面抛光或材料的去除，尤其适用于金属材料薄膜的刻蚀，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、niCr等。

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反应离子刻蚀的操作方法

通过向晶片盘片施加强RF（射频）电磁场，在系统中启动等离子体。该场通常设定为13.56兆赫兹的频率，施加在几百瓦特。振荡电场通过剥离电子来电离气体分子，从而产生等离子体 [3] 。在场的每个循环中，电子在室中上下电加速，有时撞击室的上壁和晶片盘。同时，聚焦离子束刻蚀机哪家好，响应于RF电场，更大质量的离子移动相对较少。当电子被吸收到腔室壁中时，它们被简单地送到地面并且不会改变系统的电子状态。然而，沉积在晶片盘片上的电子由于其DC隔离而导致盘片积聚电荷。这种电荷积聚在盘片上产生大的负电压，通常约为几百伏。由于与自由电子相比较高的正离子浓度，等离子体本身产生略微正电荷。由于大的电压差，正离子倾向于朝向晶片盘*移，在晶片盘中它们与待蚀刻的样品碰撞。离子与样品表面上的材料发生化学反应，聚焦离子束刻蚀机，但也可以通过转移一些动能来敲除（溅射）某些材料。由于反应离子的大部分垂直传递，反应离子蚀刻可以产生非常各向异性的蚀刻轮廓，这与湿化学蚀刻的典型各向同性轮廓形成对比。RIE系统中的蚀刻条件很大程度上取决于许多工艺参数，例如压力，气体流量和RF功率。 RIE的改进版本是深反应离子蚀刻，用于挖掘深部特征。

离子束刻蚀

离子束刻蚀以离子束为刻蚀手段达到刻蚀目的的技术，聚焦离子束刻蚀机价格，其分辨率限制于粒子进入基底以及离子能量耗尽过程的路径范围。离子束较小直径约10nm，离子束刻蚀的结构较小可能不会小于10nm。目前聚焦离子束刻蚀的束斑可达100nm以下，较以较快的直写速度进行小于50nm的刻蚀，故而聚焦离子束刻蚀是纳米加工的一种理想方法。此外聚焦离子束技术的另一优点是在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，直接制造各种纳米器件结构。但是，在离子束加工过程中，损伤问题比较突出，且离子束加工精度还不容易控制，控制精度也不够高。

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