南京低压半桥驱动- 明达微-低压半桥驱动芯片

上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：*干扰能力强，*静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。

动态电压调节

动态功耗与工作电压的平方成正比，功耗将随着工作电压的降低以二次方的速度降低，因此降低工作电压是降低功耗的有力措施。但是，仅仅降低工作电压会导致传播延迟加大，执行时间变长。

上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：*干扰能力强，*静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，让客户用得满意，用的放心。

LDO的电路原理及特性：

原则上，只要有线性特性的器件都可以，所以BJT和MOSFET都可以，但是BJT主要因为它是电流控制型不符合低功耗的要求，而且驱动电流比较大，所以Vin和Vout的差值还是太高，所以现在都采用MOSFET。至于该采用NMOS还是PMOS主要还是取决于压差，南京低压半桥驱动，通常选用PMOS。因为PMOS的dropout电压是就是饱和压降，大约是200mV，而NMOS由于drop-out电压受到了误差放大器输出电压的限制（误差放大器的输出电压为大只能达到其电源电压，即LDO的输入电压），所以drop-out电压大小为NMOS的Vgs，所以就没有PMOS的优势了。当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本，但是NMOS调整管的PSRR(电源*比)比PMOS好。

上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是：*干扰能力强，*静电能力强，电参数性能稳定，上机率高，低压半桥驱动的价格，工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌，拓宽销售市场，低压高频半桥驱动技术，让客户用得满意，低压半桥驱动芯片，用的放心。

并行设计后，由于有多个模块同时工作，提高了吞吐能力，可以把每个模块的速度降低为原来的l/n。根据延1时和工作电压的线性关系，工作电压可以相应降低为原来的l/n，电容*为原来的n倍，工作频率降低为原来的l/n，根据公式功耗降低为原来的1/n2。并行设计的关键是算法设计，一般算法中并行计算的并行度往往比较低，并行度高的算法比较难开发。