光刻胶定义
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光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料,是转移紫外*或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist,又翻译为*蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为*刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法,因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时,光刻胶材料本身的特性会发生改变,经过显影液显影后,*的负性光刻胶或未*的正性光刻胶将会留在衬底表面,负性光刻胶供应商,这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上,而后续的刻蚀、沉积等工艺,就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上,后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。
光刻胶按其形成图形的*性可以分为:正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子;负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉,因此正胶的*部分被去掉,而负胶的*部分被保留。
光刻胶一般由4部分组成:树脂型聚合物(resin/polymer),溶剂(solvent),光活性物质(photoactive compound,PAC),添加剂(Additive)。 其中,树脂型聚合物是光刻胶的主体,它使光刻胶具有耐刻蚀性能;溶剂使光刻胶处于液体状态,便于涂覆;光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光,并发生相应的化学反应;添加剂是用以改变光刻胶的某些特性,如控制胶的光吸收率/溶解度等。
光刻胶的核心参数是什么?
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的核心技术参数。随着集成电路的发展,芯片制造特征尺寸越来越小,对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的核心技术参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要,负性光刻胶价格,光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
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光刻胶的性能
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光刻胶产品种类多、*性强,是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶*光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同,导致对于材料的感光性能、溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊,要求使用不同品质等级的光刻胶**。