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MBE分子束外延系统的原理

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分子束外延，就是在超高真空系统中把所需要的结晶材料放入到喷射炉中，将喷射炉加热。使结晶材料形成分子束，从炉中喷出后，mbe分子束外延供应，沉积在温度保持在几百度的单晶基片上。如果设置几个喷射炉，mbe分子束外延，就可以制取多元半导体混晶，又可以同时进行掺杂。由于采用四*质谱仪对分子束的强度、相对比进行监控，并将测到的信息反馈到各个喷射炉，就可以准确地控制结晶生长。如果再装上高能电子衍射仪及其他分析仪器，mbe分子束外延生产厂家，则可以进行沉积系统中结晶生长过程的研究。

MBE分子束外延技术的重要性

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分子束外延技术的发展，推动了以GaAs为主的III-V族半导体及其它多元多层异质材料的生长，大大地促进了新型微电子技术领域的发展，造就了GaAs IC、GeSi异质晶体管及其集成电路以及各种超晶格新型器件。特别是GaAs IC（以MESFET、HEMT、HBT以及以这些器件为主设计和制作的集成电路）和红外及其它光电器件，在军事应用中有着*其重要的意义。GaA*IMIC（微波毫米波单片电路）和GaAs VHSIC（超高速集成电路）将在新型相控阵雷达、阵列化电子战设备、灵巧和超高速信号处理、计算机等方面起着重要的作用。

MBE分子束外延装置介绍

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MBE装置由样品进样室、预处理分析室和牛K窜等组成。窜间用闸扳阀隔开，以确保生长室的超高真空与清洁。根据MBE系统的几何结构相应地配置真空系统。根据要求，mbe分子束外延多少钱，3个室的真空配置的配置泵的系统并非一样：

(1)进样室。真空度为1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1.33×10-7Pa段用吸附泵或涡轮分子加离子泵；1.33×10-7Pa时用涡轮分子泵；1.33 x 10-8Pa时用涡轮分子泵或其他泵加闭路循环液氮低温泵。

(2)预处理分析室。真空度为1 33×10-8Pa，由400L/s抽速的离子泵获得。

(3)生长室。真空度为1.33 x 10-9Pa。要按生长室的容积大小和所用的生长材料的阵质来配置。用大抽速带冷阱的**油扩散泵、大抽速涡轮分子泵、太抽速闭路循环液氮低温泵、大抽速离子泵等四种泵为主泵，再辅以钛升华泵。