高功率IGBT功率半导体器件测试仪
¥1888元/件
中国 陕西 西安 雁塔区
产品属性
- 测试参数:
- 开关,反向恢复,短路
- 柜体颜色:
- 黑色
- 测试器件:
- IGBT,MOS
- 测试类型:
- 动态参数
- 生产产家:
- 易恩电气
- 品牌:
- 其他
- 类型:
- 半导体图示仪
- 型号:
- EN-65000
- 测试电压范围:
- 8000V
- 测试电流范围:
- 8000A
1、产品概述
EN-6500A IGBT动态参数测试系统是由西安易恩电气科技有限公司自主研制、生产的半导体功率器件动态参数测试的*设备,通过使用更换不同的测试工装可以对不同封装的半导体器件进行非*性瞬态测试,通过软件切换可以对不同器件进行动态参数测试。可用于二管、IGBT测试。测试原理符合国军标,系统集成度*稳定,具有升级扩展潜能和良好的人机交互。
2、规格环境
- 工作电压:三相五线制AC380V&plu*n;10%,或单相三线制AC220V&plu*n;10%;
- 电网频率:50Hz&plu*n;1Hz;
- 海拔高度:海拔不超过1000m;
- 温度:储存环境温度 -20℃~60℃;
- 工作环境温度:-5℃~40℃;
- 湿度:20%RH至90%RH (无凝露,湿球温度计温度:40℃以下);
- 防护:无较大灰尘,腐蚀或性气体,导电粉尘等空气污染的损害;
3、系统功能
测试系统可对各类型二管、IGBT半导体功率器件的各项动态参数进行测试。
- 开通特性测试单元:开通时间ton、上升时间tr、开通延迟时间td(on)、开通损耗Eon;
- 关断特性测试单元:关断时间toff、下降时间tf、开通延迟时间td(off)、开通损耗Eoff;
- 反向恢复测试单元:反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流IRM、反向恢复时间trr、反向恢复损耗Erec、反向恢复电流变化率di/dt;
以上内容为高功率IGBT功率半导体器件测试仪,本产品由西安易恩电气科技股份有限公司直销供应。
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