太阳能电池片生产厂家-太阳能电池片回收-振鑫焱光伏科技
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影响因素
1. 印刷压力的影响
在印刷过程中刮胶要对丝网保持一定的压力，且这个力必须是适当的。印刷压力过大，易使网版、刮胶使用寿命降低，使丝网变形，导致印刷图形失真。印刷压力过小，易使浆料残留在网孔中，造成虚印和粘网。在适当的范围内加大印刷压力，透墨量会减小（浆料湿重减小），栅线高度下降，宽度上升。
2. 印刷速度的影响
印刷速度的设定必须兼顾产量和印刷质量。对印刷质量而言，印刷速度过快，浆料进入网孔的时间就短，对网孔的填充性变差，印刷出的栅线平整性受损，易产生葫芦状栅线。印刷速度上升，栅线线高上升，线宽下降。印刷速度变慢，下墨量增加，湿重上升。
3. 丝网间隙的影响
在其他条件一定的情况下，丝网间隙与湿重大致有如右图的关系：两者几乎呈比例上升，之后丝网间隙加大，湿重降低，****后突然变为零。丝网印刷时使用的是曲线的前半段（即呈比例上升段）。由此可知，丝网间隙加大，下墨量多，湿重*。丝网间隙过大，太阳能电池片回收多少钱，易使印刷图形失真；过小，容易粘网。 刮胶硬度的影响 刮胶材料一般为聚胺脂或氟化橡胶，硬度 60 -90A 。刮胶硬度越大，印刷的图形越准确，原图的重现性越好。因此，正面栅线的印刷就需要选用硬度较高刮胶。刮胶硬度小，其他参数不变的情况下湿重就大，线高增加，线宽变大。
电池片的制作工艺
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影响因素
1 ．频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率（ gt;4MHz ）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 ．射频功率
增加 RF 功率通常会**** SiN 膜的质量。但是，****太阳能电池片回收，功率密度不宜过大，超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 ．衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ～ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和*裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 ．气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了****富硅膜，选择NH3/SiH4=2~20 （体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了****反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。
5 ．反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及*性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但多为富硅膜，可写成 SiN 。因此，必须控制气体中的 SiH4 浓度，不宜过高，并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 ．反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
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影响因素
1. 温度
温度 T 越高，扩散系数 D 越大，扩散速度越快。
2. 时间
对于恒定源：时间 t 越长结深越深，但表面浓度不变。
对于限定源：时间 t 越长结深越深，表面浓度越小。
3. 浓度
决定浓度是因素：氮气流量、源温。
表面浓度越大，扩散速度越快。
4. 第三组元
主要是掺硼量对扩散的影响，杂质增强扩散机制。在二元合金中加入第三元素时，扩散系数也会发生变化。掺硼量越大，扩散速率越快。即电阻率越小，越容易扩散。
控制点
方块电阻，外观，单片均匀性，整管均匀性。
方块电阻： 表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。 R= 电阻率 *L/S， 对方块硅片，长度等于宽度，则 R= 电阻率 / 厚度，方块电阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：电化学浓度， Xj ：扩散结深。
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