光刻胶 NR2-5000P-赛米莱德(在线咨询)-光刻胶

9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG*。负胶，98%H2SO4 H2O2 胶=CO CO2 H2O，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2 胶=CO CO2 H2O，等离子去胶Oxygenpla*a ashing，高频电场O2---电离O- O ， O 活性基与胶反应CO2，CO， H2O，光刻胶 NR7-6000P??， 光刻检验

光刻胶市场

据统计资料显示，2017年中国光刻胶行业产量达到7.56万吨，光刻胶，较2016年增加0.29万吨，其中，中国本土光刻胶产量为4.41万吨，与7.99万吨的需求量差异较大，说明我国供给能力还需提升。

国内企业的光刻胶产品目前还主要用于PCB领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。

在半导体应用领域，随着汽车电子、物联网等发展，会在一定程度上增加对G线、I线的需求，利好G线、I线等生产企业。预计G线正胶今后将占据50%以上市场份额，I线正胶将占据40%左右的市场份额，DUV等其他光刻胶约占10%市场份额，给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。

4，*

前烘好的存底放在光刻胶衬底放在光刻机上，经与光刻版对准后，光刻胶 MC3-1200，进行*，接受光照的光刻胶发生化学变化，形成潜影，

光源与光刻胶相匹配，也就是光源波长在光刻胶的敏感波段；

对准：指光刻板上与衬底的对版标记应准确对准，这样一套光刻版各版之间的图形才能彼此套准。

*时间，光刻胶 NR2-5000P，由光源强度，光刻胶种类，厚度等决定，

另外，为降低驻波效应影响，可在*后需进行烘焙，称为光后烘焙（PEB）