二氧化铪靶材HfO2靶材磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
晶迈中科 二氧化铪靶材HfO2靶材磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
纯度 99.99%
产品介绍
二氧化铪（HfO2）是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体。
性质
有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和10.43g/cm3。
熔点2780～2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和*，可溶于*和氟氢酸。由*铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、**性涂料和催化剂。
产品参数
中文名 二氧化铪 化学式 HfO2
分子量 210.49 熔点 2758℃
沸点 5400℃ 密度 9.68g/cm3
溶解度 不溶解于水 CAS 号 12055-23-1
支持合金靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！
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服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，*，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
公司介绍
北京晶迈中科材料技术有限公司坐落于北京通州区创建于2016年,是国内有色金属行业综合性研究开发公司。 现有员工100余人。我公司光学镀膜材料中心，多年来一直从事光学镀膜材料及溅射靶材的研发与生产。靶材包括各种氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、复合物、金属及合金等，也可根据您的要求量身定做。通过严格控制生产、并持续改进、稳步发展，致力为客户提供****的产品。
公司现有靶材热压炉；真空蒸馏装置，电解槽，单晶炉，区熔装置，CVD（化学气象沉积）装置，PVD装置，移动式加热装置等多种高纯金属和化合物生产研发设备；提纯工艺包括：真空蒸馏；精馏；区域熔炼；电解；化学气象沉积；热扩散；单晶提拉法等。纯度从99.9%-99.99999%,公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品，产品涉及工具/装饰镀膜、玻璃镀膜、光学镀膜、平面显示/触摸屏镀膜、薄膜太阳能镀膜等多个领域广泛应用到国内外众多*太阳能、航空航天、生物医疗、*微电子、信息储存、汽车、船舶、装饰、工业镀膜、新能源企业当中。
自有设备：真空热压炉，真空中频感应熔炼炉，冷坩埚悬浮熔炼炉，非自耗真空电弧炉，真空高温加热炉，真空烧结炉，真空蒸馏炉，定向凝固，区域熔炼炉，多温区加热炉，单晶炉，高温烧结炉，单温区，双温区、多温区液相、气相合成炉、氧化炉、加工设备。
北京晶迈中科材料技术有限公司几年来已先后与国内几十家*高校、中科院等研究院所建立了长期友好的合作关系，并与这些科研单位有密切的学术交流和技术合作项目，并远销欧洲、美国、日本、韩国等，在镀膜行业拥有良好的声誉。
