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2014－2018年全球半导体激光器市场规模

　　半导体激光产业发展空间较大技术发展速度加快

　　目前，我国除了半导体激光音像设备已形成较大规模，其他半导体激光应用市场与国外相比尚存在较大的差距，我国半导体激光产业面临着较大的发展空间。

　　应用领域广泛

　　半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种。

　　半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术。半导体激光器在激光测距、激光雷达、激光通信、激光模拟激光警戒、激光制导跟踪、引燃引爆、自动控制、检测仪器等方面获得了广泛的应用，形成了广阔的市场。

　　技术进展较快

　　我国的半导体激光器技术早期与国外发展同步，但是长期受制于产业发展滞后的影响，一直徘徊在科学研究的范畴。直到新世纪，随着我国经济的快速发展和产业的进步，作为高新技术产业的半导体激光器行业也得到了巨大提升。随着市场经济的发展和成熟，我国建立了完备的专利制度，专利的状况现在已经能够在一定程度上反映技术的发展水平。

激光二****管参数—单向导电性

　　提到激光二****管，大家****熟悉的就是激光二****管的单向导电性。当正向偏压U=0.5V(硅管)时，激光二****管开始导通，电流越大电压越大，具有很低阻*;当加反向偏压时激光二****管不导通，在一定范围内有很小的漏电流，具有很大阻*。其这个单向导电性，也起到了开关的作用，所以在整流和开关方面都有广泛的应用。

　　激光二****管有一个参数，没有单向导电性那么广为人知，东莞高埗激光器公司，但是对电路设计的影响也至关重要，那就是“结电容”。

　　激光二****管参数—结电容

　　在一些高速场合，需要选结电容比较小的激光二****管;在某些场合，则需要利用这个结电容来达到特定的目的，比如压控振荡器(VCO)，正是利用了变容激光二****管在不同的反向偏压下有不同的电容值，从而达到电压控制频率的目的。

　　在高速电路上，由于频率越来越高，寄生电容的影响已经不能忽视了。在系统中，这些不期望的电容来自方方面面，比如PCB的材质、厚度、板层结构、走线平行度，这些都是影响PCB板的寄生电容，还有电子元器件本身的寄生电容，****可恶的是这些东西还受环境温度的影响。

　　难道就没办法对付它们了吗?通过工程师们的不懈努力，发现这些影响是可以通过合理的电路设计来减少的。下面我们将讨论下怎样“利用激光二****管的电容特性来减小高速信号上的寄生电容”。

　　激光二级管

　　激光二****管妙用—减少寄生电容

　　首先，我们熟悉下激光二****管的电容特性：随着反向偏压越来越大，结电容越来越小。

功率半导体激光器历史

　　1962年9月16日，通用电气公司的罗伯特·霍尔（RobertHall）带领的研究小组展示了（GaAs）半导体的红外发射，这种半导体具有“奇怪的”干涉图形，意味着相干激光-个半导体激光器的诞生。霍尔初认为半导体激光器是一个“远射”，因为当时的发光二****管效率非常低。同时他对此也持有怀疑态度，因为当时两年前才被证实、已经存在的激光器，激光器，需要“精美的镜子”。

　　1962年夏天，霍尔表示，东莞大岭山激光器厂，对于麻省理工学院林肯实验室研发的效率更高的发光二****管，他感到相当*。随后，他表示很幸运能通过一些高质量的GaAs材料进行测试，并利用他作为一个业余天文学家的经验，开发出了一种方法来抛光GaAs芯片边缘，形成一个腔体。

　　霍尔成功的演示是基于辐射在交界面上来回反弹，而不是垂直反弹的设计。他谦虚地表示，此前没有人“碰巧提出这个想法。”实际上，霍尔的设计本质上是一个幸运的巧合，即形成波导的半导体材料也具有同时限制双****载流子的性质。否则就不可能实现半导体激光器。通过使用不相似的半导体材料，东莞中堂激光器生产商，可以形成平板波导以使光子与载流子重叠。

　　在通用电气公司进行的这些初步演示是一项重大突破。然而，这些激光器远不是实用的器件，为了促使高功率半导体激光器的诞生，必须实现不同技术的融合。关键技术*始于对直接带隙半导体材料和晶体生长技术的理解。

　　后来的发展包括双异质结激光器的发明和*阱激光器的后续发展。进一步增强这些核心技术的关键在于效率的****以及腔面钝化、散热和封装技术的发展。