切割晶圆片后,开始进入研磨工艺。研磨晶圆片以减少正面和背面的锯痕和表面损伤。同时打薄晶圆片并帮助释放切割过程中积累的应力。
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多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的,不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体,才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。加工硅晶片生成一个硅锭要花一周到一个月的时间,这取决于很多因素,包括大小、质量和终端用户要求。超过75%的单晶硅晶圆片都是通过Czochralski(CZ,也叫提拉法)方法生长的。
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然后将这些物质加热到硅的熔点——摄氏1420度之上。一旦多晶硅和掺杂剂混合物熔解,便将单晶硅种子放在熔解物的上面,只接触表面。种子与要求的成品硅锭有相同的晶向。为了使掺杂均匀,子晶和用来熔化硅的坩埚要以相反的方向旋转。
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