天津电解电容-低频电解电容-苏州威富瑞(推荐商家)

电解电容器的一些正确筛选方法：

现在电子技术正朝着低电压高电流电路的设计方向发展，供应给元器件的电压呈现越来越低的趋势，但对功率的要求却丝毫没有降低。按P=UI的公式来计算，要获得同样的功率，电压降低了，那就必须得*电流。例如INTEL、AMD的新款CPU，低频电解电容，电压均小于2V，低压电解电容，和以前3、 4V的电压相比低得多。但另一方面这些芯片由于晶体管和频率的激增，需求的功耗却是*了许多，对电流的要求就越来越高了。例如两颗功率都是70W的CPU，前者电压是3.3V，后者电压是1.8V。

电容器在电路中的作用

去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。　　将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声****一条低阻*泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，****干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

电解电容的寿命与铝箔的质量控制相关

1．3、纯铝系箔

纯铝系负****素铝箔制成的电****箔具有电容量中等、表面均匀灰粉少、强度较低、柔性好、*衰减稳定性好等特点，特别适用于要求稳定性较高的品种。通常采用软状态箔通过交流电化学腐蚀方法制得电****箔。

纯铝箔与铝-铜系箔、铝-锰系箔的腐蚀机理有所区别，天津电解电容，由于纯铝箔中没有刻意加入的铜、锰等可形成金属间化合物的腐蚀核心，因此，仅靠由纯铝中不可避免的杂质铜、铁、硅等元素所形成的金属间化合物腐蚀核心数量较少，电解电容规格，其主要腐蚀核心为冷加工过程中产生的晶间缺陷——位错在铝箔表面形成的位错露头。这类箔的铝纯度一般在99．7％—99．95％之间，随着铝纯度的****，铝箔的耐蚀性亦相应****。