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ASEMI(图)、SB3060LCT二****管、二****管

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摘要 : 导读:ASEMI半导体所说的GPP芯片究竟是什么芯片?有什么特别之处?相信很多客户询价ASEMI半导体的整流桥的时候,常常会听到一句话:ASEMI半导体整流桥采用的都是台湾波峰GPP芯片,稳定性能更

导读:ASEMI半导体所说的GPP芯片究竟是什么芯片?有什么特别之处?相信很多客户询价ASEMI半导体的整流桥的时候,常常会听到一句话:ASEMI半导体整流桥采用的都是台湾波峰GPP芯片,稳定性能更高,质量有保障。这个时候其实您是否也有疑问,这个GPP芯片,究竟是什么样的芯片呢?质量真的就能得到保障了么?那这种芯片是有什么特别之处呢?

就芯片本身来说,台湾波峰芯片的名字GPP是有含义的:Glassivation passivation parts,中文含义上解释为玻璃钝化类器件的统称。玻璃钝化工艺与传统的保护胶工艺的区别和优势就在于其性能稳定和耐高温方面。波峰芯片的玻璃钝化工艺本身漏电就要比传统工艺要小,这个是技术上的改进,尤其是HTRB(高温反向偏置),传统保护胶工艺仅能承受100度左右的HTRB,玻璃钝化工艺却在GPP达到150度时,二****管,表现依然出色。ASEMI半导体整流桥系列所采用的GPP波峰芯片,因为本身组成成分就是玻璃,SB30100LFCT二****管,因为不会因时间或热冲击而有老化现象,除老化外,很多问题,在烧机后都可以大量排除。因此可以大大****ASEMI半导体桥堆的稳定性能、*性能,还有耐高温性能。

日常工程中会有炸机现象,大部分原因是因为整流桥堆在电路中失效了。而失效的****主要因素就是因为电路中的浪涌电流击穿电路,在通电的那一瞬间桥堆即失效,也就是我们常说的炸机。而导致这种现象的主因,是整流桥堆的芯片尺寸不够大,导致峰值电流不能顺利通过,SB3060LCT二****管,电压击穿导致烧机时或使用时失效。现阶段市场上很多厂家为了降低成本,都会选择采用缩小芯片的方式,而这种做法,就很容易导致浪涌电流击穿电路。ASEMI半导体为保证我们的整流桥质量,全部ASEMI半导体出厂的整流桥堆都会采用GPP大芯片,保证能给整流桥堆预留三分之二的电流空间,从根本上减少了这种情况,也从品质给了客户的关怀和保证。







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摘要 : 快恢复二****管应用电路发热问题常见原因之-压降偏高,12年专注快恢复二****管生产经验,品质倍受信赖,大功率快恢复二****管供应商只有ASEMI.

【****的快恢复二****管品牌商-ASMEI半导体】

快恢复二****管又被称作为超快恢复二****管,SB30100LCT二****管,是一种适应高频率工作的功率器件。常用用于高频开关电源,变频器,逆变器,通信设备等等产品当中。台湾ASEMI半导体是隶属于台湾鼎芯国际的一家半导体公司,旗下快恢复二****管拥有全参数规格型号,品质好,性能稳定可靠,长期供应国内外各大实力公司,是电源领域的新*型企业。

【正向压降偏高-是导致快恢复二****管应用电路发热的常见原因】

压降偏高是导致快恢复二****管应用电路常见发热原因之一。快恢复二****管不同于整流桥产品,随着耐压的渐高,快恢复本身的压降会有明显升高。一般200V耐压快恢复二****管正向压降是1.05V,而400V耐压的快恢复正向压降就能提升到1.5V左右,压降放大之后功耗就会加大,自然的就会引起温度的升高。所以在选择快恢复二****管参数时,一定要****计算电路参数情况,以便于能更加合理的选择快恢复耐压的参数。


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摘要 : 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流。(这就是二****管的击穿现象

当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流。(这就是二****管的击穿现象) 二****管伏安特性曲线

加在PN结两端的电压和流过二****管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示:

正向特性:ugt;0的部分称为正向特性。反向特性:ult;0的部分称为反向特性。反向击穿:当反向电压超过一定数值U(BR)后,反向电流急剧增加,称之反向击穿。



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