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厂家*大功率正向寿命试验台

¥188元/件 中国 陕西 西安 雁塔区
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厂家*大功率正向寿命试验台

系统概述

绝缘栅双****型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)作为功率开关器件,具有载流密度大、饱和压降低等

许多优点,

但是由于其长期工作在高电压、大电流、高频开关状态等且运行环境复杂,IGBT功耗和结温频繁波动容易造成器件疲劳老化。目前国内外温度循环引起的器件失效机理已进行了深入研究,在此基础上正积****发展功率模块寿命预测技术以****变流器运行可靠性。

技术指标

测试参数 VF

0.01~20V

0.01~10V±3%±0.01V

10~20V±3%±0.1V

测试条件

正向电流:1mA~60A  直流方波

脉宽

50uS-1mS

工位

 20只

测试方法

器件在特定温度下存储一定时间后,在设定电流后 按规定施加条件对被试器件依次进行测试,测试间 隔时间约100mS


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