长期*收购IC,内存,单片机,模块,显卡,网卡,芯片, K9F系列、南北桥、手机IC、ATMEL/PIC系列单片机、SAA系列、RT系列、TDA系列、TA系列,手机主控IC,内存卡、字库、蓝牙芯片、功放IC、电解电容、钽电容、贴片电容、晶振、变压器、LED发光管、 继电器...)等一切电子料。、电感、32.768晶振LED发光管、 霍尔元件,继电器、三洋光头、滤波器、日立光头、变压器等。 各种坦电容回收、CPU内存、BGA,一切电子元器件业务,请联系我们
红芯科技有限公司
内存改进 编辑
逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
封装(Packages)
DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何*物质。
降低功耗
DDR3内存在达到高带宽的同时,其功耗反而可以降低,其核心工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,相关数据预测DDR3将比现时DDR2节省30%的功耗,当然发热量我们也不需要担心。就带宽和功耗之间作个平衡,对比现有的DDR2-800产品,DDR3-800、1066及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X,不但内存带宽大幅提升,功耗表现也比上代更好
以上内容为回收芯片,回收三星TF卡,本产品由红芯科技电子有限公司直销供应。
声明:第一枪平台为第三方互联网信息服务提供者,第一枪(含网站、小程序等)所展示的产品/服务的标题、价格、详情等信息内容系由会员企业发布,其真实性、准确性和合法性均由会员企业负责,第一枪概不负责,亦不负任何法律责任。第一枪提醒您选择产品/服务前注意谨慎核实,如您对产品/服务的标题、价格、详情等任何信息有任何疑问的,请与该企业沟通确认;如您发现有任何违法/侵权信息,请立即向第一枪举报并提供有效线索。
我要举报