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肖特基二****管

SiC高压SBD由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，无锡肖特基二****管，临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/(cm·K)，*化学腐蚀性强，肖特基二****管引脚，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。

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典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用kun作掺杂剂的N-外延层。阳****使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，****管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，肖特基二****管选型，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N 阴****层，其作用是减小阴****的接触电阻。

肖特基二****管特点

SBD的主要优点包括两个方面:

1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二****管低(约低0.2V)。

2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二****管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。