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晶体三****管的放大原理：

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射****电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，KSP10 TO-92批发 ，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，KSP10 TO-92价格 ，促使电子流在基区中向集电结扩散，KSP10 TO-92生产厂家，被集电结电场拉入集电区形成集电****电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三****管的放大能力。

三****管的主要参数****间反向饱和电流ICBO和ICEO；

（1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射****开路，集电结加反向电压时测得的集电****电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常可忽略。

（2）集电****-发射****反向电流ICEO是指基****开路时，KSP10，集电****与发射****之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。

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