广西肖特基二****管|碳化硅肖特基二****管|苏州威富瑞(****商家)

二****管的作用与识别方法

1、作用

二****管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻****大或无穷大。

二****管按用途分为：晶体二****管、双向触发二****管、高频变阻二****管、变容二****管、发二****管、肖特基二****管。

2、识别方法

二****管的识别很简单，小功率二****管的N****(负****)，在二****管表大多采用一种色圈标出来，有些二****管也用二****管*符号标志为“P”“N”来确定二****管****性的，发光二****管的正负****可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。

肖特基二****管作用

肖特基二****管肖特基(Schottky)二****管，又称肖特基势垒二****管(简称 SBD)，广西肖特基二****管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。****显著的特点为反向恢复时间****短(可以小到几纳秒)，检波肖特基二****管，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二****管、续流二****管、保护二****管，也有用在微波通信等电路中作整流二****管、小信号检波二****管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

肖特基二****管

据报道，C.M.Zetterling等人采用6H?SiC衬底外延10μm的N型层，再用离子注入形成一系列平行P 条，顶层势垒金属选用Ti，这种结构与图2相类似的结势垒肖特基(JunctionBarrierSchottky，缩写为JBS)器件，正向特性与Ti肖特基势垒相同，反向漏电流处于PN结和Ti肖特基势垒之间，碳化硅肖特基二****管，通态电阻密度为20mΩ·cm2，硅肖特基二****管，阻断电压达1.1kV，在200V反向偏压下的漏电流密度为10μA/cm2。此外，R·Rayhunathon报道了关于P型4H?SiCSBD、6H?SiCSBD的研制成果。这种以Ti作为金属势垒的P型4H?SiCSBD和6H?SiCSBD，反向击穿电压分肖特基二****管别达600V和540V，在100V反向偏压下的漏电流密度小于0.1μA/cm2(25℃)。