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溅射靶材

北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年，云南镍铬铝合金， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，镍铬铝合金供应商，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供*的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。

微电子硅片引线中，镍铬铝合金厂，铜与铝相比较，铜具有更高的*电迁移能力及更低的电阻率 ，能够满足半导体工艺在 0.25 μm以下的亚微米布线的需要 ，但却带来了其他的问题 。铜与有机介质材料的附着强度低 并且容易发生反应 ，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。 为了解决以上这些问题， 需要在铜与介质层之间设置阻挡层。 阻挡层材料一般采用高熔点 、高电阻率的金属及其化合物 。因此要求阻挡层厚度小于 50 nm 且与铜及介质材料的附着性能良好。 铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的 ，需要研制新的靶材材料。 铜互连的阻挡层用靶材包括 Ta、 W、 TaSi 、WSi 等。但是 Ta、W 都是难熔金属，制备相对困难 现在正在研究钼、铬等的合金作为替代材料 。

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金属靶材

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溅射靶材的要求较传统材料行业高，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸与缺陷控制；较高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成份与*均匀性、*（氧化物）含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。磁控溅射镀膜是一种新型的物理相镀膜方式，就是用电子枪系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。

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靶材要求：

纯度 陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大，陶瓷靶材的纯度越高，溅射薄膜的均匀性和批量产品质量的一致性越好。近年来随着微电子产业的迅速发展，硅器件布线宽度已发展到0．13μm，对成膜面积的薄膜均匀性要十分严格，其纯度必须大于4N。此外显示平面用的ITO靶材对纯度也要求十分严格，要求ITO的纯度都大于4N。磁性薄膜用陶瓷靶材的纯度也要不低于3N。靶材作为溅射中的阴****源，固体中的杂质是沉积薄膜的主要污染源，如：碱金属离子(Na 、K )易在绝缘层(SiO)中成为可移动性离子，降低元器件性能，其含量须在0．01ppm(重量)以下。

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