肖特基二****管
由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC,故前者有更低的反向漏电流,而后者的正向压降较小。为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD,采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势肖特基二****管垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD,反向特性与Ni肖特基整流器相当,镇江肖特基二****管,在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍,而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD,击穿电压达550V。
如何选择肖特基二****管
反向恢复时间Trr:当工作电压从正向电压变成反向电压时,批发肖特基二****管,二****管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上,一般要延迟一点点时间。决定电流截止yan时的量,就是反向恢复时间。虽然它直接影响二****管的开关速度,但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二****管由导通突然反向时,反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时,肖特基二****管正****,此项指标至为重要。
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普通肖特基二****管的正向压降为0.51V。低压降肖特基SBT20L45FCT的压降低了0.1V,比普通肖特基二****管消耗低了20%左右。大大降低了电路中不必要的消耗,****了能源的利用率。
随着国际社会倡导更加绿色的能源消费以及对节能环保的日益重视,降低对能源的无形消耗,为满足时*展及客户需求,会有更多的厂商选择低压降肖特基二****管。东莞凌讯(LX)电子生产的肖特****二****管系列产品均通过多项认证是众多客户的选择。