半导体设计外派|拓光微电子公司|宿迁半导体设计

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中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

*部分：用数字表示半导体器件有效电****数目。2-二****管、3-三****管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器

件的材料和****性。表示二****管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三****管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

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半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是****常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化1镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），宿迁半导体设计，以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

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一个半导体材料有可能先后掺杂施主与受主，而如何决定此外质半导体为n型或p型必须视掺杂后的半导体中，受主带来的电洞浓度较高或是施主带来的电子浓度较高，亦即何者为此外质半导体的“多数载子”（majority carrier）。和多数载子相对的是少数载子（minority carrier）。对于半导体元件的操作原理分析而言，少数载子在半导体中的行为有着非常重要的地位。