石久高研(图)|氧化镁批发|氧化镁

溅射靶材

北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供*的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。

微电子硅片引线中，铜与铝相比较，铜具有更高的*电迁移能力及更低的电阻率 ，能够满足半导体工艺在 0.25 μm以下的亚微米布线的需要 ，但却带来了其他的问题 。铜与有机介质材料的附着强度低 并且容易发生反应 ，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。 为了解决以上这些问题， 需要在铜与介质层之间设置阻挡层。 阻挡层材料一般采用高熔点 、高电阻率的金属及其化合物 。因此要求阻挡层厚度小于 50 nm 且与铜及介质材料的附着性能良好。 铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的 ，需要研制新的靶材材料。 铜互连的阻挡层用靶材包括 Ta、 W、 TaSi 、WSi 等。但是 Ta、W 都是难熔金属，制备相对困难 现在正在研究钼、铬等的合金作为替代材料 。

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溅射靶材

北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供*的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。

高纯铜靶材加工的发展趋势

目前，IC行业所需*超高纯金属铜靶材几乎全部为国外几个大型跨国公司所垄断。国内IC行业所需的超纯铜靶材基本全部需要进口，不仅价格昂贵，而且进口手续繁杂。国内靶材生产企业基本属于质量和技术门槛较低、采用传统加工方法、依靠价格取胜的低档次溅射靶材生产者，或获利有限的代工型加工厂。

目前，国外主要半导体溅射靶材供货商已投入到超高纯度(6N)铜溅射靶材的开发，同时已经将试生产的铜溅射靶材送交溅镀设备供货商进行相关测试及验证，部分公司产品已上线生产。

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真空镀膜和光学镀膜区别

北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供*的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。

靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好，但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。新型的溅镀设备几乎都使用*磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的*气离子化，氧化镁批发，造成靶与*气离子间的撞击机率增加，****溅镀速率。一般金属镀膜大都采用直流溅镀，氧化镁厂家，而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀，氧化镁，基本的原理是在真空中利用辉光放电(glow discharge)将*气(Ar)离子撞击靶材(target)表面，电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材的负电****表面，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。

一般来说，利用溅镀制程进行薄膜披覆有几项特点：(1)金属、合金或绝缘物均可做成薄膜材料。(2)再适当的设定条件下可将多元复杂的靶材制作出同一组成的薄膜。(3)利用放电气氛中加入氧或其它的活性气体，可以制作靶材物质与气体分子的混合物或化合物。(4)靶材输入电流及溅射时间可以控制，容易得到*的膜厚。(5)较其它制程利于生产大面积的均一薄膜。(6)溅射粒子几不受重力影响，靶材与基板位置可自由安排。(7)基板与膜的附着强度是一般蒸镀膜的10倍以上，且由于溅射粒子带有高能量，氧化镁厂，在成膜面会继续表面扩散而得到硬且致密的薄膜，同时此高能量使基板只要较低的温度即可得到结晶膜。(8)薄膜形成初期成核密度高，可生产10nm以下的****薄连续膜。(9)靶材的寿命长，可长时间自动化连续生产。(10)靶材可制作成各种形状，配合机台的特殊设计做更好的控制及更有效率的生产。

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