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理论原理晶体三*管（以下简称三*管）按资料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构方式，高压贴片三*管，但运用*的是硅NPN和锗PNP两种三*管，三*管，（其间，N是负*的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中参加磷替代一些硅原子，在电压影响下发生自由电子导电，而P是正*的意思是参加硼替代硅，发生很多空穴利于导电）。两者除了电源*性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流扩大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中心夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间构成的PN结称为发射结，而集电区与基区构成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射*e （Emitter）、基*b (Base)和集电*c (Collector)。

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扩大原理发射区向基区发射电子电源Ub通过电阻Rb加在发射结上，大功率贴片三*管，发射结正偏，发射区的大都载流子(自由电子）不断地跳过发射结进入基区，构成发射*电流Ie。一起基区大都载流子也向发射区分散，但由于大都载流子浓度远低于发射区载流子浓度，能够不考虑这个电流，因而能够以为发射结主要是电子流。

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