半导体探测器|中核控制|半导体探测器多少钱

半导体探测器

中核控制系统工程有限公司立足高标准、高起点、高水平的经营理念，集科研、生产于一体，业务范围涵盖核工程数字化控制系统产品研发、设计、系统制造、系统集成、工程实施及售后服务等全过程整体解决方案，制造*子仪器、环境监测仪器、实验室仪器、堆测量控制仪器、气体电离探测器、光电倍增管、无机有机核探测器、半导体探测器以及与上述业务相关的技术服务、产品及技术进出口、代理进出口等业务。

工作原理

工作原理空间电荷分布、电场分布及电位分布[5] I区为完全补偿区，呈电中性为均匀电场；

I区为耗尽层，电阻率可达1010Ωcm；I区厚度可达10～20mm，为灵敏体积。

工作条件

为了降低探测器本身的噪声和FET的噪声，同时为降低探测器的表面漏电流，锂*移探测器和场效应管FET都置于真空低温的容器内，工作于液氮温度(77K)[6] 。对Ge(Li)探测器，由于锂在锗中的迁移率较高，须保持在低温下，以****Li Ga-离子对 离解，使Li 沉积而*原来的补偿； 对Si(Li)探测器，半导体探测器供应商，由于锂在硅中的迁移率较低，在常温下保存而无长久性的损伤。

存在问题

Li*移探测器的问题：低温下保存代价很高；*移的生产周期很长，半导体探测器，约30～60天。

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锂*移型探测器

简介为了探测穿透能力较强的γ射线，要求探测器有更大的灵敏区。这种效果通常是使锂*移进入P型半导体材料，进行补偿而获得。由于锗比硅对γ射线有更高的探测效率，故一般采用锗（锂）*移探测器。这种探测器的灵敏体积可大于200厘米3。但是，由于其死层较厚，半导体探测器厂家，故在探测较低能量的X射线时，往往采用硅（锂）*移探测器。锂*移型探测器的另一个特点，是当它被用来探测X及γ射线时必须保持在低温(77K)和真空中工作。

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