半导体探测器_中核控制(图)_半导体探测器厂家

半导体探测器的应用领域

中核控制系统工程有限公司立足高标准、高起点、高水平的经营理念，集科研、生产于一体，业务范围涵盖核工程数字化控制系统产品研发、设计、系统制造、系统集成、工程实施及售后服务等全过程整体解决方案，制造*子仪器、环境监测仪器、实验室仪器、堆测量控制仪器、气体电离探测器、光电倍增管、无机有机核探测器、半导体探测器以及与上述业务相关的技术服务、产品及技术进出口、代理进出口等业务。

应用领域

随着科学技术不断发展需要[2] ，科学家们在锗锂Ge(Li)、硅锂Si(Li)、高纯锗HPGe、金属面垒型等探测器的基础上研制出许多新型的半导体探测器，如硅微条、Pixel、CCD、硅*移室等，并广泛应用在高能物理、天体物理、工业、安全检测、核医学、*成像、军事等各个领域。世界各大高能物理实验室几乎都采用半导体探测器作为顶点探测器。美国费米实验室的CDF和D0，SLAC的B介子工厂的BaBar实验，西欧高能物理中心（CERN）LEP上的L3，ALEPH，DELPHI，OPAL，正在建造的质子-质子对撞机LHC上的ATLAS，CMS及日本的KEK，德国的HARA、HARB及Zeus等。ATLAS和CMS还采用了硅微条探测器代替*移室作为径迹测量的径迹室。近些年高能物理领域所有新的物理成果，无不与这些*的具有优良性能的****探测器密切相关。

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半导体探测器

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P-N结半导体探测器

工作原理多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，远高于本征电阻率[4] 。在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，半导体探测器厂家，电位差几乎都降在结区。反向电压形成的电场与内电场方向一致。在外加反向电压时的反向电流：少子的扩散电流，结区面积不变，半导体探测器品牌，IS 不变；结区体积加大，热运动产生电子空穴多，IG *；反向电压产生漏电流 IL ，主要是表面漏电流。

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